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Si8439DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
10
V GS = 5 V thru 2 V
8
15
10
V GS = 1.5 V
6
4
T C = 25 ° C
5
2
T C = 125 ° C
0
V GS = 1 V
0
T C = - 55 ° C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.3 0.6 0.9 1.2
1.5
0.15
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1.2 V
3000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.12
V GS = 1.5 V
2500
C iss
2000
0.09
1500
0.06
V GS = 2.5 V
1000
C oss
0.03
V GS = 1.8 V
500
C rss
V GS = 4.5 V
0.00
0
0
4
8 12
16
20
0
2 4 6
8
6
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 1.5 A
1.3
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
5
V DS = 4 V
1.2
V GS = 4.5 V, 2.5 V; I D = 1.5 A
V GS = 1.8 V; I D = 1 A
4
3
V DS = 2 V
V DS = 6.4 V
1.1
V GS = 1.5 V; I D = 1 A
1.0
2
1
0
0.9
0.8
V GS = 1.2 V; I D = 0.5 A
0
10
20 30 40
50
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 63839
S13-1703-Rev. B, 29-Jul-13
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
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